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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Kingston XG9XKG-MIE 16GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
55
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
55
读取速度,GB/s
12.8
17.2
写入速度,GB/s
7.4
14.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
2870
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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