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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
16.7
17.4
写入速度,GB/s
10.0
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3182
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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