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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
69
左右 43% 更低的延时
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
69
读取速度,GB/s
11.7
16.2
写入速度,GB/s
7.2
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
1980
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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