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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
39
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
20
读取速度,GB/s
11.7
19.0
写入速度,GB/s
7.2
14.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3462
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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