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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
39
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
20
读取速度,GB/s
11.7
19.1
写入速度,GB/s
7.2
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3471
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
KingSpec KingSpec 16GB
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