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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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规格
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
36
读取速度,GB/s
11.7
17.0
写入速度,GB/s
7.2
15.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3562
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
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