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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
11.7
16.1
写入速度,GB/s
7.2
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2916
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
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