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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
13.9
16.2
写入速度,GB/s
8.6
13.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2944
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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