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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB

总分
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB

差异 规格 评论

差异

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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 36
    左右 -6% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.5 left arrow 16.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.4 left arrow 11.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    16.4 left arrow 20.5
  • 写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 16.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2729 left arrow 3616

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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内存RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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