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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
58
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
31
读取速度,GB/s
4,241.0
11.7
写入速度,GB/s
1,950.7
7.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
1997
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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