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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
65
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
65
读取速度,GB/s
11.7
17.0
写入速度,GB/s
7.2
9.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2058
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9S/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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