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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
38
读取速度,GB/s
11.7
13.5
写入速度,GB/s
7.2
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2267
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
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