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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
31
读取速度,GB/s
11.7
17.9
写入速度,GB/s
7.2
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3261
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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