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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
39
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.7
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
24
读取速度,GB/s
11.7
22.7
写入速度,GB/s
7.2
18.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
4202
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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