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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
75
左右 48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
75
读取速度,GB/s
11.7
14.3
写入速度,GB/s
7.2
6.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
1548
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
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