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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 9965589-007.D01G 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.7
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
35
读取速度,GB/s
11.7
9.1
写入速度,GB/s
7.2
7.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2078
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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