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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
35
读取速度,GB/s
2,909.8
15.3
写入速度,GB/s
1,519.2
12.6
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2815
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
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