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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
11.7
17.1
写入速度,GB/s
7.2
13.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3432
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
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