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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
59
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
59
读取速度,GB/s
11.7
17.2
写入速度,GB/s
7.2
9.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2181
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
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