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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
49
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
49
读取速度,GB/s
11.7
8.8
写入速度,GB/s
7.2
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
2331
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
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