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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
56
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
33
读取速度,GB/s
4,387.7
14.5
写入速度,GB/s
1,813.5
10.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2485
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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