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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
56
左右 -211% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
18
读取速度,GB/s
4,387.7
20.8
写入速度,GB/s
1,813.5
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3650
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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