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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
56
左右 -87% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
30
读取速度,GB/s
4,387.7
16.8
写入速度,GB/s
1,813.5
12.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3046
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
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