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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
56
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
28
读取速度,GB/s
4,387.7
18.0
写入速度,GB/s
1,813.5
15.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3669
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
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