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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
56
左右 -195% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
19
读取速度,GB/s
4,387.7
19.3
写入速度,GB/s
1,813.5
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3310
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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