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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
56
左右 -167% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
21.0
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
21
读取速度,GB/s
4,387.7
20.9
写入速度,GB/s
1,813.5
21.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
4250
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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