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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
56
左右 -75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
32
读取速度,GB/s
4,387.7
16.2
写入速度,GB/s
1,813.5
12.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3148
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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