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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
56
左右 -30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
43
读取速度,GB/s
4,387.7
13.9
写入速度,GB/s
1,813.5
9.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2571
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
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