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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
56
左右 -60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
35
读取速度,GB/s
4,387.7
16.2
写入速度,GB/s
1,813.5
12.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3242
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
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