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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
56
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
26
读取速度,GB/s
4,387.7
14.3
写入速度,GB/s
1,813.5
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2912
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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