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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
56
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
26
读取速度,GB/s
4,387.7
14.3
写入速度,GB/s
1,813.5
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2912
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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