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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.4
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
27
读取速度,GB/s
4,387.7
12.3
写入速度,GB/s
1,813.5
6.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
1732
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
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