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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
60
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
60
读取速度,GB/s
4,387.7
14.9
写入速度,GB/s
1,813.5
12.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2511
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
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