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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
56
左右 -75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
32
读取速度,GB/s
4,387.7
15.7
写入速度,GB/s
1,813.5
13.2
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3247
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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Kingston 9905713-035.A00G 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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