Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

总分
star star star star star
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

总分
star star star star star
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 52
    左右 -86% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    12.2 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.3 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 14900
    左右 1.29 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    52 left arrow 28
  • 读取速度,GB/s
    9.7 left arrow 12.2
  • 写入速度,GB/s
    7.2 left arrow 9.3
  • 内存带宽,mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2173 left arrow 2382
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较