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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
14900
左右 1.72 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
9.7
17.4
写入速度,GB/s
7.2
14.5
内存带宽,mbps
14900
25600
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3692
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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