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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
66
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
66
读取速度,GB/s
9.7
16.5
写入速度,GB/s
7.2
9.0
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
1934
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston HX424C15PB/4 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
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