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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
比较
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
总分
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.4
13.5
写入速度,GB/s
8.4
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2275
2172
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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