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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
比较
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
总分
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
90
左右 70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
90
读取速度,GB/s
13.4
14.6
写入速度,GB/s
8.4
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2275
1546
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
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