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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
71
左右 63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
71
读取速度,GB/s
12.8
14.3
写入速度,GB/s
9.0
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1608
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
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