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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
72
左右 64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
4.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
72
读取速度,GB/s
12.8
9.6
写入速度,GB/s
9.0
4.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1438
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
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