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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
48
读取速度,GB/s
12.8
11.7
写入速度,GB/s
9.0
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2841
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905417-061.A00G 4GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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