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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
12.8
17.9
写入速度,GB/s
9.0
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3618
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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