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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
12.2
写入速度,GB/s
8.9
9.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2354
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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