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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
12.8
14.8
写入速度,GB/s
9.0
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2635
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
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