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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
39
读取速度,GB/s
12.1
15.1
写入速度,GB/s
8.6
10.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2478
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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