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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
37
读取速度,GB/s
12.8
14.8
写入速度,GB/s
9.0
11.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2751
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
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