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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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更快的读取速度,GB/s
16.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
26
读取速度,GB/s
12.8
16.2
写入速度,GB/s
9.0
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2728
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
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