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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
41
读取速度,GB/s
12.8
14.7
写入速度,GB/s
9.0
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2154
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
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