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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905624-043.A00G 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
26
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
22
读取速度,GB/s
12.8
17.8
写入速度,GB/s
9.0
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3077
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL9 Series-XP 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
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