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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
12.8
16.1
写入速度,GB/s
9.0
12.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3181
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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